فت هایی (FETs) با فین دوگانه بر اساس روش CMOS استاندارد
دسته بندی تخصصی و کد: ترجمه تخصصی برق - 008
دانلود مقاله اصلی به انگلیسی 
دریافت
Double-fin FETs based on standard CMOS approach
Michał Zaborowski *, Daniel Tomaszewski, Andrzej Panas, Piotr Grabiec
Institute of Electron Technology, Warsaw 02 668, Poland
چکیده
p-MOSFET هایی با فین دوگانه با استفاده از فرایند PanDEOx ساخته شده اند. فین فت هایی با عرض 133 نانومتر و عرض ناحیه بالک 260 نانومتر مبتنی بر روش SOI از نظر الکتریکی با ترانزیستورهای ساخته شده به شیوه فتولیتوگرافی با عرض فین 9 نانومتر روی Layout مشابه، از نظر ویژگی های الکتریکی با یکدیگر مقایسه شده اند. استخراج پارامترهای افزاره مانند gM, VT, SS, ID,off , Rs, Rc با استفاده از ابزارهایی با ابعاد مختلف صورت گرفته است. این مشخصه ها مزیت افزاره هایی با فین دوگانه را تایید می کنند.
کلمات کلیدی: نانو خطوط si، فین فت ها، PaDEOx، مهندسی نانو
جهت دریافت متن کامل مقاله ترجمه شده به صورت تایپی لطفا مبلغ 30 هزار تومان به شماره عابر بانک 6037691535375778 به نام هادی عزیزخانی نزد بانک صادرات واریز نمایید و سپس شماره رسید فیش واریزی بعلاوه آدرس ایمیل را به شماره 09365477331 یا آدرس ایمیل ktr.tolou@gmail.com ارسال کنید تا در اسرع وقت فایل برای شما ارسال شود. به تماس های تلفنی فقط در روزهای کاری از ساعت 8 الی 14 پاسخ داده خواهد شد.
